金刚石是超宽禁带半导体材料，性能显著超越以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料，具备高临界电场强度、较高载流子迁移率和高工作温度。此外，其热导率远高于硅、氮化镓等传统材料。因其出色的物理和电学特性，金刚石被列为“下一代超宽禁带半导体的战略发展方向”，是最具前景的“终极半导体”基础材料之一，有望推动行业技术跨越与产业升级。2022年8月，美国将以金刚石为代表的超宽禁带半导体材料纳入出口管制范围。2026年1月，国家商务部将光学级金刚石薄膜材料及MPCVD生长设备列入对日本两用物项的出口清单。
2018年，年逾八旬的邹广田院士为攻克大尺寸、高品质金刚石单晶生长领域的“卡脖子”科学技术难题，率领科研团队赴珠海成立了高压与超硬材料全国重点实验室分室，拓展具备重大应用前景的CVD金刚石研究范围，为金刚石的基础与应用研究注入创新活力。科研团队研发出拥有自主知识产权的“台阶流调控技术”，成功制备2英寸（50×50 mm²）单晶金刚石，相关工作发表在Functional Diamond, 2026, 6, 2620820。
（1）发现“单晶生长区”，实现单晶长时间生长，无边缘多晶伴生。
（2）发现一致台阶流的籽晶易实现拼接缝平滑连接，可获得结晶质量良好的英寸级单晶金刚石，避免复杂克隆工艺，有效降低成本。
（3）联合研发激光隐形切割技术，成功快速分离厚度350 mm自支撑单晶金刚石晶圆，亚表面损伤层厚度小于 100 mm，X射线摇摆曲线半高宽为108 arcsec，位错密度约为1.0×105 cm-2，表面粗糙度＜0.5 nm，表面应力约为0.04 GPa，所获尺寸及结晶质量达到国内外先进水平。
近几年，科研团队承担了广东省重点领域研发计划项目、工信部重点项目、海南省重点专项等，累计经费达5000万元。研制出国内首台高功率（30 KW）2.45 GHz MPCVD金刚石生长设备，成功生长6英寸多晶膜材料，平均生长速率约为12 mm/h，良品率保持在70%以上；具备批量制备1英寸单晶金刚石的能力，技术成熟度达到7级；研发出多种杂质俘获与位错湮灭技术，使氮、硅杂质浓度低于PL及XPS光谱探测极限，N杂质浓度＜5 ppb，杂质浓度与元素六公司的产品相当，处于国际领先水平。
金刚石以其无可比拟的综合性能，站在了新材料革命的前沿。从攻克芯片散热的“生死线”，到支撑下一代功率与射频电子技术，再到赋能颠覆性的量子信息产业，其在众多高技术领域的应用前景已清晰可见。随着核心关键技术的不断进步和产业生态的逐步完善，金刚石必将从一种备受瞩目的“未来材料”，转变为驱动新一代信息技术、高端装备、生物医疗等领域创新发展的“核心材料”，其商业化与应用拓展将迎来黄金时期。
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